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Sentech ICP-RIE SI 500:

超高密度等離子體

納米結構損傷小

由于離子能量分布較低，可以實現低損傷蝕刻和納米結構。       

簡單高速腐蝕

高長徑比MEMS用硅的高速率蝕刻是很容易進行的，無論是使用室溫工藝或光滑側壁的低溫工藝。       

室內等離子體等離子體源

平面三螺旋天線(PTSA)源是Sentech高端等離子體加工系統(tǒng)的***個獨特特點。PTSA源產生離子密度高、離子能量分布均勻的等離子體。它具有耦合效率高和良好的點火性能，可加工多種材料和結構。       

動態(tài)溫度控制

襯底溫度的設置和蝕刻過程的穩(wěn)定性是高質量蝕刻的要求。采用動態(tài)溫度控制的ICP基片電極，結合He背面冷卻和基片背面溫度傳感，在-150℃到+400℃的大范圍溫度范圍內，提供了優(yōu)良的工藝條件。      

SI 500代表了電感耦合等離子體(ICP)加工在研究和生產上的優(yōu)勢。它以PTSA等離子體源、動態(tài)控溫基片電極、全控真空系統(tǒng)、的Sentech 控制軟件為基礎，采用遠程現場總線技術，為操作SI 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是SI 500的設計特點。       

從直徑200毫米的晶圓片到載于載體上的各種基片，都可以在SI 500 ICP蝕刻機中加工。單片真空負荷鎖，工藝條件穩(wěn)定，工藝切換方便。       

SI 500 ICP蝕刻機可用于加工多種材料，包括但不限于III-V復合半導體(GaAs、InP、GaN、InSb)、介質、石英、玻璃、硅、硅化合物(SiC、SiGe)和金屬。       

Sentech 提供不同的自動化水平，從真空盒式磁帶加載到***個過程室，多達六個端口集群，具有不同的蝕刻和沉積模塊，目標是高靈活性或高吞吐量。SI 500也可以作為集群配置上的進程模塊使用。